MOSFETien toiminnan ja rakenteen ymmärtäminen

Jos transistoria voidaan kutsua 1900-luvun suurimmaksi keksinnöksi, ei ole epäilystäkään siitä, ettäMOSFET jossa paljon luottoa. Vuonna 1925, vuonna 1959 julkaistujen MOSFET-patenttien perusperiaatteiden perusteella, Bell Labs keksi MOSFET-periaatteen, joka perustuu rakennesuunnitteluun. Tähän päivään asti suuret tehomuuntimet, pienet muistiin, prosessoriin ja muihin elektronisten laitteiden ydinkomponentteihin, yksikään niistä ei käytä MOSFETiin. niin seuraavaksi ymmärrämme toiminnan rakenteen MOSFET se! MOSFETin koko nimi on metalli-oksidi-puolijohde-kenttätransistor.

1. MOSFETien perustoiminnot

MOSFETin perusavainsana on - puolijohde, ja puolijohde on eräänlainen metallimateriaali, se voi johtaa sähköä, mutta itse asiassa se voidaan myös eristää. MOSFET eräänlaisena puolijohdelaitteena, tarvitsemme sitä toteuttaaksemme yksinkertaisen toiminnan on pääasiassa kyettävä varmistamaan piirin kierto ja myös pystyä toteuttamaan eston piiri.

2. MOSFETien perusrakenne

MOSFET on erittäin monipuolinen teholaite alhaisen hilakäyttötehon, erinomaisen kytkentänopeuden ja voimakkaan rinnakkaistoiminnan ansiosta. Monilla teho-MOSFETeillä on pitkittäinen pystysuuntainen rakenne, jossa lähde ja nielu ovat kiekon vastakkaisissa tasoissa, mikä mahdollistaa suurten virtojen kulkemisen ja korkeiden jännitteiden käytön.

3. MOSFETejä käytetään pääasiassa päävirtalaitteina kahdella alalla

(1), toimintataajuuden vaatimukset välillä 10kHz ja 70kHz, kun taas lähtötehon on oltava alle 5kw kentällä, suurimmassa osassa tapauksia tällä alalla, vaikka IGBT ja tehoMOSFETit voi saavuttaa vastaavan toiminnon, mutta teho-MOSFETit luottavat yleensä pienempiin kytkentähäviöihin, pienempään kokoon ja suhteellisen alhaisiin kustannuksiin tullakseen optimaaliseksi valinnaksi, edustavia sovelluksia ovat LCD-TV-levyt, induktioliedet ja niin edelleen.

(2), toimintataajuuden vaatimukset ovat korkeammat kuin korkein taajuus, joka voidaan saavuttaa muilla teholaitteilla, nykyinen maksimitaajuus on pääasiassa noin 70 kHz, tällä alueella tehoMOSFET on tullut ainoa vaihtoehto, edustavat sovellukset ovat invertterit, äänilaitteet ja niin edelleen.