MOSFETien parametrianalyysi ja mittaus

Postitusaika: 7.7.2024

Pääparametreja on monenlaisiaMOSFET, jotka sisältävät tasavirta-, vaihtovirta- ja rajaparametrit, mutta yleissovelluksen tarvitsee huolehtia vain seuraavista perusparametreista: vuotolähteen virran kylläisyystila IDSS-puristusjännite Up, transkonduktanssi gm, vuotolähteen läpilyöntijännite BUDS, suurempi häviölähtöteho PDSM ja suurempi vuotolähdevirta IDSM.

1. Kyllästynyt vuotolähdevirta

Kyllästetty nielulähdevirta IDSS tarkoittaa nielulähdevirtaa hilajännitteellä UGS = 0 liitos- tai tyhjennystyyppisissä eristetyn kerroksen hila-MOSFETeissä.

2. Katkaisujännite

Puristusjännite UP tarkoittaa hilajännitteen käyttöjännitettä liitos- tai tyhjennystyyppisessä eristetyssä kerrosportissaMOSFETmikä tekee tyhjennyslähteen vain katkaistuna. Selvitä, mitä IDSS ja UP todella tarkoittavat.

3. Kytke jännite päälle

Käynnistysjännite UT tarkoittaa hilajännitteen käyttöjännitettä vahvistetussa eristetyssä hila-MOSFET:ssä siten, että nielulähdeliitäntä on juuri kytketty päälle. Ota selvää mitä UT oikeastaan tarkoittaa.

4. Ristiohjaus

Transguidea gm käytetään osoittamaan hilalähdejännitteen kykyä ohjata nieluvirtaa, eli nieluvirran muutoksen ja hilalähdejännitteen muutoksen suhdetta.

5、Maksimaalinen lähtötehon menetysr

Maksimihäviölähtöteho kuuluu myös rajaparametriin, joka tarkoittaa suurinta nielulähteen häviötehoa, joka voidaan sallia, kunMOSFETon normaalia ja ei vaikuta. Kun käytämme MOSFETiä, sen toimintahäviön tulisi olla pienempi kuin PDSM ja tietty arvo.

6、Maksimaalinen vuotolähdevirta

Suurin nielulähteen virta, IDSM, on myös rajoittava parametri, mikä tarkoittaa suurinta sallittua virtaa, joka saa kulkea MOSFETin nielun ja lähteen välillä normaalin toiminnan aikana, eikä sitä saa ylittää MOSFETin ollessa toiminnassa.

olukeysta on tullut yksi Aasian parhaista ja nopeimmin kasvavista toimijoista aktiivisen markkinakehityksen ja tehokkaan resurssien integroinnin kautta, ja olukeyn yhteinen tavoite on tulla maailman arvokkaimmaksi agentiksi.