Elektroniikkakomponenteilla on sähköiset parametrit, ja tyyppiä valittaessa on tärkeää jättää riittävästi liikkumavaraa elektroniikkakomponenteille elektronisten komponenttien vakauden ja pitkäaikaisen toiminnan varmistamiseksi. Seuraavaksi esittele lyhyesti Triode- ja MOSFET-valintamenetelmä.
Triode on virtausohjattu laite, MOSFET on jänniteohjattu laite, näiden kahden välillä on yhtäläisyyksiä valittaessa tarve ottaa huomioon kestävyys jännite, virta ja muut parametrit.
1, enimmäiskestojännitteen valinnan mukaan
Triodikollektori C ja emitteri E kestävät maksimijännitteen parametrin V (BR) CEO välillä, CE:n välinen jännite käytön aikana ei saa ylittää määritettyä arvoa, muuten Triode vaurioituu pysyvästi.
Maksimijännite on myös MOSFETin nielun D ja lähteen S välillä käytön aikana, eikä DS:n jännite käytön aikana saa ylittää määritettyä arvoa. Yleisesti ottaen jännitteenkestoarvoMOSFETon paljon korkeampi kuin Triode.
2, suurin ylivirtakyky
Triodilla on ICM-parametri, eli kollektorin ylivirtakyky, ja MOSFETin ylivirtakyky ilmaistaan ID:nä. Kun nykyinen toiminta, Triode/MOSFETin läpi kulkeva virta ei voi ylittää määritettyä arvoa, muuten laite palaa.
Toimintavakauden huomioon ottaen 30-50 % tai jopa suurempi marginaali on yleensä sallittu.
3、Käyttölämpötila
Kaupallisen luokan sirut: yleinen alue 0 - +70 ℃;
Teollisuusluokan sirut: yleinen alue -40 - +85 ℃;
Sotilasluokan sirut: yleinen alue -55 ℃ - +150 ℃;
MOSFET-valintaa tehdessäsi valitse sopiva siru tuotteen käyttötilanteen mukaan.
4, kytkentätaajuuden valinnan mukaan
Sekä Triode ettäMOSFETniillä on kytkentätaajuuden/vasteajan parametrit. Jos sitä käytetään suurtaajuuspiireissä, kytkentäputken vasteajan on katsottava täyttävän käyttöehdot.
5、Muut valintaehdot
Esimerkiksi MOSFETin on-resistanssin Ron-parametri, VTH:n käynnistysjännite.MOSFET, ja niin edelleen.
Kaikki MOSFET-valinnassa olevat voit yhdistää yllä olevat kohdat valintaa varten.
Postitusaika: 27.4.2024
