InvertterinMOSFETittoimivat kytkentätilassa ja putkien läpi kulkeva virta on erittäin korkea. Jos putkea ei ole valittu oikein, käyttöjännitteen amplitudi ei ole tarpeeksi suuri tai piirin lämmönhajoaminen ei ole hyvä, MOSFET voi kuumeta.
1, invertterin MOSFET-lämmitys on vakava, kannattaa kiinnittää huomiota MOSFET-valintaan
MOSFET invertterin kytkentätilassa vaativat yleensä sen tyhjennysvirran mahdollisimman suuren, on-resistanssin mahdollisimman pienen, mikä voi vähentää putken kyllästysjännitteen pudotusta, mikä vähentää putken kulutusta, vähentää lämpöä.
Tarkista MOSFET-käsikirja, huomaamme, että mitä korkeampi MOSFETin kestojännitearvo on, sitä suurempi on sen päällekytkentävastus, ja putken korkean tyhjennysvirran ja alhaisen putken kestävyysjännitearvon omaavien, sen päällekytkentävastus on yleensä alle kymmeniä milliohmia.
Olettaen kuormitusvirran 5A, valitsemme yleisesti käytetyn invertterin MOSFET RU75N08R ja jännitteenkestoarvo 500V 840 voi olla, niiden nieluvirta on 5A tai enemmän, mutta kahden putken päällekytkentävastus on erilainen, käytä samaa virtaa , niiden lämpöero on erittäin suuri. 75N08R:n päällekytkentäresistanssi on vain 0,008 Ω, kun taas 840:n päällekytkentäresistanssi on 0,85 Ω, kun putken läpi kulkeva kuormitusvirta on 5 A, 75N08R putken jännitehäviö on vain 0,04 V, tällä hetkellä MOSFET-putken kulutus on vain 0,2 W, kun taas 840 putken jännitehäviö voi olla jopa 4,25 W, putken kulutus on jopa 21,25 W. Tästä näkyy, että mitä pienempi invertterin MOSFETin päällekytkentävastus on, sitä parempi, putken päällekytkentäresistanssi on suuri, putken kulutus suurella virralla Invertterin MOSFETin päällekytkentävastus on yhtä pieni kuin mahdollista.
2, käyttöjännitteen amplitudin käyttöpiiri ei ole tarpeeksi suuri
MOSFET on jännitteensäätölaite, jos haluat vähentää putken kulutusta, vähentää lämpöä,MOSFETportin käyttöjännitteen amplitudin tulee olla riittävän suuri ajaakseen pulssin reunan jyrkäksi ja suoraksi, voit vähentää putken jännitehäviötä, vähentää putken kulutusta.
3, MOSFET-lämmön hajoaminen ei ole hyvä syy
InvertteriMOSFETlämmitys on vakava asia. Koska invertterin MOSFET-energiankulutus on suuri, työ vaatii yleensä riittävän suuren jäähdytyselementin ulkopinnan, ja ulkoisen jäähdytyselementin ja itse jäähdytyselementin välisen MOSFETin tulee olla läheisessä kosketuksessa (yleensä pinnoitettava lämpöä johtavalla silikonirasvalla ), jos ulkoinen jäähdytyselementti on pienempi tai kosketus MOSFETin omaan jäähdytyselementtiin ei ole tarpeeksi lähellä, voi johtaa putken kuumenemiseen.
Invertteri MOSFET lämmitys vakava on neljä syytä yhteenveto.
MOSFETin lievä kuumeneminen on normaali ilmiö, mutta vakava kuumeneminen, joka johtaa jopa putkeen palamiseen, on seuraavat neljä syytä:
1, piirisuunnittelun ongelma
Anna MOSFETin toimia lineaarisessa toimintatilassa kytkentäpiirin tilan sijaan. Se on myös yksi MOSFET-lämmityksen syistä. Jos N-MOS tekee kytkennän, G-tason jännitteen on oltava muutama V korkeampi kuin virtalähde, jotta se olisi täysin päällä, kun taas P-MOS on päinvastoin. Ei täysin auki ja jännitehäviö on liian suuri, mikä johtaa virrankulutukseen, vastaava DC-impedanssi on suurempi, jännitehäviö kasvaa, joten myös U * I kasvaa, häviö tarkoittaa lämpöä. Tämä on vältetyin virhe piirin suunnittelussa.
2, liian korkea taajuus
Suurin syy on, että joskus liiallinen harjoittamisesta määrä, mikä lisää taajuutta, MOSFET tappiot suuria, joten lämpö on myös lisääntynyt.
3, ei tarpeeksi lämpösuunnittelua
Jos virta on liian suuri, MOSFETin nimellisvirran arvo vaatii yleensä hyvän lämmönpoiston saavuttamiseksi. Joten ID on pienempi kuin maksimivirta, se voi myös lämmetä huonosti, tarvitsee riittävästi lisäjäähdytyselementtiä.
4, MOSFET-valinta on väärä
Virheellinen tehoarvio, MOSFETin sisäistä vastusta ei oteta täysin huomioon, mikä johtaa lisääntyneeseen kytkentäimpedanssiin.
Postitusaika: 22.4.2024
