Eristettyjen kerrosten porttien MOSFETien tunnistus

Eristyskerroksen portin tyyppi MOSFET-aliasMOSFET (jäljempänä MOSFET), jossa on piidioksidista valmistettu kaapelin vaippa hilajännitteen ja lähdenielun keskellä.

MOSFET on myösN-kanava ja P-kanava kaksi luokkaa, mutta jokainen luokka on jaettu tehostus- ja valonkulutustyyppiin kaksi, joten tyyppejä on yhteensä neljä:N-kanavan lisäys, P-kanavan tehostus, N-kanavan valonpoisto, P-kanavan valonpoistotyyppi. Mutta missä portin lähdejännite on nolla, tyhjennysvirta on myös nolla putken tehostetussa putkessa. Kuitenkin, jos hilalähdejännite on nolla, nieluvirta ei ole nolla, luokitellaan valoa kuluttaviksi putkiksi.
Tehostettu MOSFET-periaate:

Hilalähteen keskellä työskennellessä ei käytetä jännitettä, nielulähteen PN-liitoksen keskikohta on vastakkaiseen suuntaan, joten johtavaa kanavaa ei tule, vaikka nielulähteen keskellä on jännite, johtava kaivannon sähkö on suljettu, ei ole mahdollista saada käyttövirtaa. Kun hilalähteen keskikohta plus positiivisen suunnan jännite tiettyyn arvoon, nielulähteen keskelle syntyy johtava turvakanava, jolloin tämän hilalähdejännitteen juuri tuottamaa johtavaa ojaa kutsutaan avoimeksi jännitteeksi VGS, Mitä suurempi portin lähdejännitteen keskikohta on, johtava kaivanto on leveämpi, mikä puolestaan ​​tekee läpi suuremman sähkövirran.

Valoa dissipatiivisen MOSFETin periaate:

Käytössä hilalähteen keskellä ei käytetä jännitettä, toisin kuin parannustyypin MOSFET, ja nielulähteen keskellä on johtava kanava, joten nielulähteen keskelle lisätään vain positiivinen jännite, joka johtaa tyhjennysvirtaan. Lisäksi hilalähde jännitteen positiivisen suunnan keskellä, johtavan kanavan laajeneminen, lisää jännitteen vastakkainen suunta, johtava kanava kutistuu, sähkövirtaus on pienempi, kun MOSFET-vertailu paranee, se voi myös olla positiivisessa ja negatiivisessa määrässä tietyn määrän alueita johtavassa kanavassa.

MOSFET-teho:

Ensinnäkin MOSFETejä käytetään suurentamiseen. Koska MOSFET-vahvistimen tuloresistanssi on erittäin korkea, suodatinkondensaattori voi olla pienempi ilman elektrolyyttikondensaattorien käyttöä.

Toiseksi erittäin korkea MOSFET-tulovastus sopii erityisen hyvin ominaisimpedanssin muuntamiseen. Yleisesti käytetty monitasoisen vahvistimen tuloasteessa ominaisimpedanssin muuntamiseen.

MOSFETiä voidaan käyttää säädettävänä vastuksena.

Neljänneksi MOSFET voi olla kätevä DC-virtalähde.

V. MOSFETiä voidaan käyttää kytkinelementtinä.