Metalli-oksidi-puolijohderakenne kidetransistorin, joka tunnetaan yleisesti nimelläMOSFET, jossa MOSFETit jaetaan P-tyypin MOSFETeihin ja N-tyypin MOSFETeihin. MOSFET-piireistä koostuvia integroituja piirejä kutsutaan myös integroiduiksi MOSFET-piireiksi, ja läheisesti toisiinsa liittyviä MOSFET-integroituja piirejä, jotka koostuvat PMOSFET-piireistä jaNMOSFETit Niitä kutsutaan integroiduiksi CMOSFET-piireiksi.
MOSFETiä, joka koostuu p-tyypin substraatista ja kahdesta n-levitysalueesta, joilla on korkeat pitoisuusarvot, kutsutaan n-kanavaksiMOSFET, ja n-tyypin johtavan kanavan aiheuttaman johtavan kanavan aiheuttavat n-levitysreitit kahdella n-levitysreitillä, joilla on korkeat konsentraatioarvot, kun putki johtaa. n-kanavaisten paksunnettujen MOSFETien n-kanava johtuu johtavasta kanavasta, kun positiivista suuntabiasia nostetaan mahdollisimman paljon hilalla ja vain silloin, kun hilalähteen toiminta vaatii kynnysjännitteen ylittävää käyttöjännitettä. n-kanavan ehtymisen MOSFETit ovat niitä, jotka eivät ole valmiita hilajännitteeseen (hilalähteen toiminta vaatii nollan käyttöjännitteen). N-kanavainen valon ehtymisen MOSFET on n-kanavainen MOSFET, jossa johtava kanava syntyy, kun hilajännitettä (hilalähteen toimintavaatimuksen käyttöjännite on nolla) ei ole valmisteltu.
Integroidut NMOSFET-piirit ovat N-kanavaisia MOSFET-virtalähdepiirejä, integroituja NMOSFET-piirejä, tuloresistanssi on erittäin korkea, suurimman osan ei tarvitse sulattaa tehovirran absorptiota, joten CMOSFET- ja NMOSFET-integroidut piirit on kytketty ilman ottaa huomioon tehovirran kuormitus.NMOSFET-integroidut piirit, suurin osa yhden ryhmän positiivisen hakkuriteholähdepiirin valikoimasta tehonsyöttöpiirit Suurin osa integroiduista NMOSFET-piireistä käyttää yhtä positiivista kytkentävirtalähdepiirin virtalähdepiiriä, ja 9V lisää. Integroidut CMOSFET-piirit tarvitsevat vain samaa hakkuriteholähdepiirin virtalähdepiiriä kuin integroidut NMOSFET-piirit, voidaan liittää NMOSFET-integroiduilla piireillä välittömästi. Kuitenkin NMOSFET:stä CMOSFETiin kytketty välittömästi, koska NMOSFET-lähdön vetovastus on pienempi kuin integroidun piirin CMOSFET-vetovastus, joten yritä käyttää potentiaalieron vetovastusta R, vastuksen R arvo on yleensä 2-100kΩ.
N-kanavan paksunnettujen MOSFETien rakentaminen
P-tyypin piisubstraatille, jolla on alhainen seostuspitoisuusarvo, valmistetaan kaksi N aluetta, joilla on korkea seostuspitoisuusarvo, ja kaksi elektrodia vedetään alumiinimetallista toimimaan nieluna d ja lähteenä s, vastaavasti.
Sitten puolijohdekomponentin pintaan peitetään erittäin ohut kerros piidioksidia eristävää putkea, viemäriin - lähteen eristysputki viemärin ja toisen alumiinielektrodin lähteen väliin, kuten portti g.
Substraatissa johdetaan ulos myös elektrodi B, joka koostuu N-kanavan paksuisesta MOSFETistä. MOSFET-lähde ja substraatti on yleensä kytketty toisiinsa, suurin osa tehtaan putkesta on liitetty siihen pitkään, sen portti ja muut elektrodit on eristetty kotelon välissä.
Postitusaika: 26.5.2024
