MOSFETit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) katsotaan usein täysin ohjatuiksi laitteiksi. Tämä johtuu siitä, että MOSFETin toimintatilaa (päällä tai pois) ohjataan täysin hilajännitteellä (Vgs) eikä se riipu kantavirrasta kuten bipolaaritransistorin (BJT) tapauksessa.
MOSFETissä hilajännite Vgs määrittää, muodostuuko lähteen ja nielun välille johtava kanava, sekä johtavan kanavan leveyden ja johtavuuden. Kun Vgs ylittää kynnysjännitteen Vt, muodostuu johtava kanava ja MOSFET siirtyy on-tilaan; kun Vgs putoaa alle Vt, johtava kanava katoaa ja MOSFET on katkaisutilassa. Tämä ohjaus on täysin ohjattu, koska hilajännite voi itsenäisesti ja tarkasti ohjata MOSFETin toimintatilaa turvautumatta muihin virta- tai jänniteparametreihin.
Sitä vastoin puoliohjattujen laitteiden (esim. tyristorien) toimintatilaan ei vaikuta vain ohjausjännite tai -virta, vaan myös muut tekijät (esim. anodijännite, virta jne.). Tämän seurauksena täysin ohjatut laitteet (esim. MOSFETit) tarjoavat yleensä paremman suorituskyvyn ohjaustarkkuuden ja joustavuuden suhteen.
Yhteenvetona voidaan todeta, että MOSFETit ovat täysin ohjattuja laitteita, joiden toimintatilaa ohjataan täysin hilajännitteellä, ja niillä on suuri tarkkuus, suuri joustavuus ja alhainen virrankulutus.
Postitusaika: 20.9.2024
