Virtakytkimen ja muun virtalähdejärjestelmän suunnitteluohjelmassa ohjelman suunnittelijat kiinnittävät enemmän huomiota useisiin tärkeimpiin parametreihin.MOSFET, kuten on-off vastus, suurempi käyttöjännite, suurempi tehovirta. Vaikka tämä elementti onkriittinen, kun otetaan huomioon väärä paikka, virtalähdepiiri ei voi toimia kunnolla, mutta itse asiassa tämä on vasta ensimmäinen vaihe,MOSFETit omien loisparametrien katsotaan olevan tärkeä asia virransyöttöpiirin vaarantamiseksi.
MOSFETien välitön ajo virtalähteen IC:illä
Hyvässä MOSFET-ohjainpiirissä on seuraavat ehdot:
(1) Kun kytkin on käytössä, ohjainpiirin pitäisi pystyä antamaan erittäin suuri virta, jotta MOSFET-portin lähteen napojen välinen käyttöjännite nousee nopeasti vaadittuun arvoon, jotta kytkimen voi kääntää. päälle nopeasti, eikä nousevalla reunalla esiinny suurtaajuisia värähtelyjä.
(2) virtakytkin päälle ja pois päältä, käyttöpiiri voi varmistaa, että MOSFET-portin lähteen napojen välinen käyttöjännite säilyy pitkään ja tehokas johtuminen.
(3) Sulje käyttöpiiri hetkeksi, voi syöttää MOSFET-hilalähteen kapasitanssin matalan impedanssin kanavan nopean tyhjennyksen välillä varmistaaksesi, että kytkin voidaan sammuttaa nopeasti.
(4) Yksinkertainen ja luotettava käyttöpiirien rakenne, jossa on vähän kulumista.
(5) Suojelun suorittamiseksi erityistilanteen mukaan.
Ohjausmoduulin virtalähteessä yleisin on virtalähteen IC suoraan ajaa MOSFET. Sovellus, tulisi kiinnittää huomiota suurempi ajaa korkein arvo tehovirtaa, MOSFET jakelukapasitanssi 2 tärkeimmät parametrit. Power IC -aseman kyky, MOS-jakelukapasitanssin koko, taajuusmuuttajan vastuksen vastusarvo vaarantavat MOSFET-virrankytkentänopeuden. Jos MOSFET-jakelukapasitanssin valinta on suhteellisen suuri, virtalähteen IC:n sisäinen taajuusmuuttaja ei riitä, sen on oltava ohjauspiirissä taajuusmuuttajan kyvyn parantamiseksi, usein käytetään totemnapa-virtalähdepiiriä tehostamaan virtalähteen IC-käyttökykyä. .
Postitusaika: 25.7.2024
