NMOSFET- ja PMOSFET-arvot voidaan tehdä useilla tavoilla:
I. Virran suunnan mukaan
NMOSFET:Kun virta kulkee lähteestä (S) nieluon (D), MOSFET on NMOSFET NMOSFETissä lähde ja nielu ovat n-tyypin puolijohteita ja hila on p-tyypin puolijohde. Kun hilajännite on positiivinen suhteessa lähteeseen, puolijohteen pinnalle muodostuu n-tyypin johtava kanava, joka sallii elektronien virrata lähteestä viemäriin.
PMOSFET:MOSFET on PMOSFET, kun virta kulkee nielusta (D) lähteeseen (S). PMOSFETissä sekä lähde että nielu ovat p-tyypin puolijohteita ja hila on n-tyypin puolijohde. Kun hilajännite on negatiivinen suhteessa lähteeseen, puolijohteen pinnalle muodostuu p-tyyppinen johtava kanava, joka sallii reikien virrata lähteestä viemäriin (huomaa, että tavanomaisessa kuvauksessa sanotaan edelleen, että virta menee D:stä S:hen, mutta se on itse asiassa suunta, johon reiät liikkuvat).
*** Käännetty osoitteessa www.DeepL.com/Translator (ilmainen versio) ***
II. Parasiittisen diodin suunnan mukaan
NMOSFET:Kun loisdiodi osoittaa lähteestä (S) viemäriin (D), se on NMOSFET. parasiittidiodi on MOSFETin sisäinen rakenne, ja sen suunta voi auttaa meitä määrittämään MOSFETin tyypin.
PMOSFET:Parasiittidiodi on PMOSFET, kun se osoittaa nielusta (D) lähteeseen (S).
III. Ohjauselektrodin jännitteen ja sähkönjohtavuuden välisen suhteen mukaan
NMOSFET:NMOSFET johtaa, kun hilajännite on positiivinen suhteessa lähdejännitteeseen. Tämä johtuu siitä, että positiivinen hilajännite luo n-tyypin johtavat kanavat puolijohteen pinnalle, jolloin elektronit voivat virrata.
PMOSFET:PMOSFET johtaa, kun hilajännite on negatiivinen suhteessa lähdejännitteeseen. Negatiivinen hilajännite luo p-tyypin johtavan kanavan puolijohteen pinnalle, jolloin aukot voivat virrata (tai virran kulkea D:stä S:hen).
IV. Muut apuarviointimenetelmät
Katso laitemerkinnät:Joissakin MOSFETeissä voi olla merkintä tai mallinumero, joka tunnistaa sen tyypin, ja tarkastelemalla asiaa koskevaa tietolehteä voit varmistaa, onko kyseessä NMOSFET vai PMOSFET.
Testilaitteiden käyttö:MOSFETin nastaresistanssin tai sen johtavuuden mittaaminen eri jännitteillä testiinstrumenteilla, kuten yleismittarilla, voi myös auttaa määrittämään sen tyypin.
Yhteenvetona voidaan todeta, että NMOSFET- ja PMOSFET-arviointi voidaan tehdä pääasiassa virran virtaussuunnan, loisdiodin suunnan, ohjauselektrodin jännitteen ja johtavuuden välisen suhteen sekä laitteen merkinnän ja testilaitteiden käytön perusteella. Käytännön sovelluksissa sopiva arviointimenetelmä voidaan valita tilanteen mukaan.
Postitusaika: 29.9.2024