Tiedätkö mikä N-kanavainen MOSFET on?

I. Perusrakenne ja koostumus

N-kanavainen MOSFET koostuu seuraavista pääkomponenteista:

Portti:ohjausliittimeen muuttamalla hilajännitettä ohjaamaan johtavaa kanavaa lähteen ja nielun välillä.· ·

 

Lähde:Virran ulosvirtaus, yleensä kytketty piirin negatiiviseen puolelle.· ·

 

Valua: virran sisäänvirtaus, joka on yleensä kytketty piirin kuormaan.

Substraatti:Yleensä P-tyyppinen puolijohdemateriaali, jota käytetään MOSFETien substraattina.

Eristin：Portin ja kanavan välissä sijaitseva se on yleensä valmistettu piidioksidista (SiO2) ja toimii eristeenä.

II. Toimintaperiaate

N-kanavaisen MOSFETin toimintaperiaate perustuu sähkökenttävaikutukseen, joka etenee seuraavasti:

Katkaisutila:Kun hilajännite (Vgs) on pienempi kuin kynnysjännite (Vt), hilan alapuolelle ei muodostu N-tyypin johtavaa kanavaa P-tyypin substraattiin, ja siksi katkaisutila lähteen ja nielun välillä on paikallaan. ja virta ei voi kulkea.

Johtavuustila:Kun hilajännite (Vgs) on korkeampi kuin kynnysjännite (Vt), hilan alapuolella olevat P-tyypin substraatin reiät hylätään muodostaen tyhjennyskerroksen. Hilajännitteen kasvaessa edelleen elektronit vetäytyvät P-tyypin substraatin pintaan muodostaen N-tyypin johtavan kanavan. Tässä vaiheessa lähteen ja nielun välille muodostuu reitti ja virta voi virrata.

III. Tyypit ja ominaisuudet

N-kanavaiset MOSFETit voidaan luokitella eri tyyppeihin niiden ominaisuuksien mukaan, kuten Enhancement-Mode ja Depletion-Mode. Niiden joukossa Enhancement-Mode MOSFETit ovat katkaisutilassa, kun hilajännite on nolla, ja niiden on käytettävä positiivista hilajännitettä johtaakseen; kun taas tyhjennystilan MOSFETit ovat jo johtavassa tilassa, kun hilajännite on nolla.

N-kanavaisilla MOSFETeillä on monia erinomaisia ​​ominaisuuksia, kuten:

Korkea tuloimpedanssi:MOSFETin hila ja kanava on eristetty eristekerroksella, mikä johtaa erittäin korkeaan tuloimpedanssiin.

Matala melu:Koska MOSFETien toimintaan ei liity vähemmistökantoaaltojen ruiskuttamista ja yhdistämistä, kohina on alhainen.

Pieni virrankulutus: MOSFETeillä on alhainen virrankulutus sekä päällä että pois päältä.

Nopeat kytkentäominaisuudet:MOSFETeillä on erittäin nopeat kytkentänopeudet ja ne sopivat suurtaajuuspiireihin ja suurnopeisiin digitaalipiireihin.

IV. Käyttöalueet

N-kanavaisia ​​MOSFET-laitteita käytetään laajasti erilaisissa elektronisissa laitteissa niiden erinomaisen suorituskyvyn ansiosta, kuten:

Digitaaliset piirit:Logiikkaporttipiirien peruselementtinä se toteuttaa digitaalisten signaalien käsittelyn ja ohjauksen.

Analogiset piirit:Käytetään avainkomponenttina analogisissa piireissä, kuten vahvistimissa ja suodattimissa.

Tehoelektroniikka:Käytetään tehoelektronisten laitteiden, kuten kytkentävirtalähteiden ja moottorikäyttöjen, ohjaamiseen.

Muut alueet:Kuten LED-valaistus, autoelektroniikka, langaton viestintä ja muut alat ovat myös laajalti käytössä.

Yhteenvetona voidaan todeta, että N-kanavainen MOSFET on tärkeä puolijohdelaite, jolla on korvaamaton rooli nykyaikaisessa elektroniikkatekniikassa.