Suunniteltaessa hakkuriteholähdettä tai moottorin käyttöpiiriä, jossa on amosfetUseimmat ihmiset harkitsevat mos-transistorin kytkentäresistanssia, maksimijännitettä ja maksimivirtaa, mutta se on kaikki, mitä he harkitsevat. Tällainen piiri voi toimia, mutta se ei ole korkealaatuinen piiri, eikä sitä saa suunnitella muodolliseksi tuotteeksi.
Merkittävin ominaisuusmosfeton kytkentä, joten sitä voidaan käyttää laajasti erilaisissa elektronista kytkentää vaativissa piireissä, kuten hakkuriteholähteissä ja moottorin käyttöpiireissä. Nykyään MOSFET-sovelluspiirin tilanne:
1, pienjännitesovellukset
Käytettäessä 5 V virtalähdettä, jos käytetään perinteistä toteemipylväsrakennetta, transistorin jännitehäviö on vain noin 0,7 V, todellinen portille ladattu jännite on tällä hetkellä vain 4,3 V, jos valitsemme MOSFET, jonka jännite on 4,5 V, koko piirissä on tietty riski. Sama ongelma ilmenee käytettäessä 3V tai muuta pienjännitevirtalähdettä.
2, laaja jännite sovelluksia
Päivittäisessä elämässämme syöttämämme jännite ei ole kiinteä arvo, vaan siihen vaikuttavat aika tai muut tekijät. Tämä vaikutus saa pwm-piirin antamaan erittäin epävakaan käyttöjännitteen MOSFETille. Joten jotta mos-transistorit voisivat toimia turvallisesti korkeilla hilajännitteillä, monetmosfetitNykyään niissä on sisäänrakennetut jännitesäätimet, jotka rajoittavat hilajännitettä. Tässä vaiheessa, kun syötetty käyttöjännite ylittää säätimen jännitteen, tapahtuu huomattava määrä staattista tehonkulutusta. Samanaikaisesti, jos hilajännitettä yksinkertaisesti pienennetään käyttämällä vastusjännitteen jakajaperiaatetta, tulojännite on suhteellisen korkea ja mosfet toimii hyvin. Kun tulojännitettä pienennetään, hilajännite on riittämätön, mikä johtaa epätäydelliseen johtamiseen ja lisääntyneeseen virrankulutukseen.
Postitusaika: 04-04-2024
