MOSFETit sähköajoneuvojen ohjaimissa

1, MOSFETin rooli sähköajoneuvon ohjaimessa

Yksinkertaisesti sanottuna moottoria ohjaa virtalähteen lähtövirtaMOSFET, mitä suurempi lähtövirta on (jotta MOSFET ei palaisi loppuun, säätimessä on virtarajoitussuoja), mitä voimakkaampi moottorin vääntömomentti on, sitä tehokkaampi kiihtyvyys.

2, MOSFETin toimintatilan ohjauspiiri

Avoin prosessi, päällä, pois päältä prosessi, katkaisutila, hajoamistila.

MOSFETin päähäviöt sisältävät kytkentähäviöt (päälle ja pois prosessi), johtohäviöt, katkaisuhäviöt (vuotovirran aiheuttamat, mikä on mitätön), lumivyöryenergiahäviöt. Jos nämä häviöt hallitaan MOSFETin siedettävällä alueella, MOSFET toimii oikein, jos se ylittää siedettävän alueen, tapahtuu vahinkoa.

Kytkentähäviö on usein suurempi kuin johtavuustilahäviö, varsinkin PWM ei ole täysin auki, pulssinleveysmodulaatiotilassa (vastaa sähköauton käynnistyskiihdytystilaa), ja suurin nopea tila on usein johtavuushäviö. hallitsevat.

3, tärkeimmät syytMOSvahingoittaa

Ylivirta, korkea virta korkean lämpötilan vaurioiden aiheuttama (jatkuva korkea virta ja hetkellinen suurvirtapulssit, jotka johtuvat liitoslämpötilasta ylittävät toleranssiarvon); ylijännite, lähde-tyhjennystaso on suurempi kuin läpilyöntijännite ja rikkoutuminen; portin rikkoutuminen, yleensä siksi, että ulkoinen tai käyttöpiiri vaurioittaa hilajännitettä enemmän kuin suurin sallittu jännite (yleensä porttijännitteen on oltava alle 20 V), sekä staattisen sähkön vaurio.

4, MOSFET-kytkentäperiaate

MOSFET on jänniteohjattu laite, kunhan hila G ja lähdeaste S muodostavat sopivan jännitteen lähdeasteen S ja D välille johtamispiirin lähdeasteen välille. Tämän virtapolun resistanssista tulee MOSFETin sisäinen resistanssi, eli on-resistanssi. Tämän sisäisen vastuksen koko määrittää pohjimmiltaan suurimman on-tilavirranMOSFETsiru kestää (tietysti myös muihin tekijöihin liittyen, tärkein on lämpövastus). Mitä pienempi sisäinen vastus, sitä suurempi virta.