Kuinka valita MOSFET?

1. Määritä tyyppi

 

- N-kanava tai P-kanava: Valitse N-kanavainen tai P-kanavainen MOSFET piirin suunnittelun perusteella. Tyypillisesti N-kanavaisia ​​MOSFETejä käytetään alapuolen kytkentään, kun taas P-kanavaisia ​​MOSFETejä käytetään yläpuolen kytkentään.

 

2. Jännitearvot

 

- Suurin tyhjennyslähdejännite (VDS): Määritä suurin nielu-lähdejännite. Tämän arvon tulee ylittää piirin todellisen jänniterasituksen riittävästi turvallisuuden vuoksi.

- Suurin porttilähdejännite (VGS): Varmista, että MOSFET täyttää ohjauspiirin jännitevaatimukset eikä ylitä hilalähteen jänniterajaa.

 

3. Nykyinen kapasiteetti

 

- Nimellisvirta (ID): Valitse MOSFET, jonka nimellisvirta on suurempi tai yhtä suuri kuin suurin odotettu virta piirissä. Harkitse pulssin huippuvirtaa varmistaaksesi, että MOSFET pystyy käsittelemään enimmäisvirran näissä olosuhteissa.

 

4. On-Resistance (RDS(päällä))

 

- On-Resistance: On-resistanssi on vastus MOSFET, kun se johtaa. MOSFETin valitseminen alhaisella RDS:llä (on) vähentää tehohäviöitä ja parantaa tehokkuutta.

 

5. Switching Performance

 

- Kytkentänopeus: Harkitse MOSFETin kytkentätaajuutta (FS) ja nousu-/laskuaikoja. Valitse suurtaajuussovelluksiin MOSFET, jolla on nopeat kytkentäominaisuudet.

- Kapasitanssi: Gate-drain-, gate-source- ja drain-source -kapasitanssit vaikuttavat kytkentänopeuteen ja -tehokkuuteen, joten nämä tulee ottaa huomioon valinnassa.

 

6. Pakettien ja lämmönhallinta

 

- Pakkaustyyppi: Valitse sopiva pakkaustyyppi piirilevytilan, lämpövaatimusten ja valmistusprosessin perusteella. Pakkauksen koko ja lämpöteho vaikuttavat MOSFETin asennus- ja jäähdytystehokkuuteen.

- Lämpövaatimukset: Analysoi järjestelmän lämpötarpeet, erityisesti pahimmissa olosuhteissa. Valitse MOSFET, joka voi toimia normaalisti näissä olosuhteissa välttääksesi ylikuumenemisen aiheuttaman järjestelmän vian.

 

7. Lämpötila-alue

 

- Varmista, että MOSFETin käyttölämpötila-alue vastaa järjestelmän ympäristövaatimuksia.

 

8. Erityisiä sovelluksia koskevia huomioita

 

- Pienjännitesovellukset: Kiinnitä erityistä huomiota MOSFETin hilajänniterajoihin sovelluksissa, joissa käytetään 5 V tai 3 V virtalähdettä.

- Laajat jännitesovellukset: MOSFET, jossa on sisäänrakennettu Zener-diodi, saatetaan tarvita rajoittamaan hilajännitteen heilahtelua.

- Kaksoisjännitesovellukset: Erityisiä piirimalleja voidaan tarvita ohjaamaan yläpuolen MOSFETiä tehokkaasti matalalta puolelta.

 

9. Luotettavuus ja laatu

 

- Ota huomioon valmistajan maine, laadunvarmistus ja komponentin pitkän aikavälin vakaus. Erittäin luotettaviin sovelluksiin saatetaan tarvita autoluokan tai muita sertifioituja MOSFETejä.

 

10. Kustannukset ja saatavuus

 

- Ota huomioon MOSFETin kustannukset ja toimittajan läpimenoajat ja toimitusvakaus varmistaaksesi, että komponentti täyttää sekä suorituskyky- että budjettivaatimukset.

 

Yhteenveto valintavaiheista:

 

- Selvitä, tarvitaanko N- vai P-kanavainen MOSFET.

- Määritä suurin nielulähdejännite (VDS) ja hilalähdejännite (VGS).

- Valitse MOSFET, jonka nimellisvirta (ID) pystyy käsittelemään huippuvirtoja.

- Valitse MOSFET, jossa on alhainen RDS(päällä) tehokkuuden parantamiseksi.

- Harkitse MOSFETin kytkentänopeutta ja kapasitanssin vaikutusta suorituskykyyn.

- Valitse sopiva pakettityyppi tilan, lämmöntarpeen ja piirilevyrakenteen perusteella.

- Varmista, että käyttölämpötila-alue vastaa järjestelmän vaatimuksia.

- Ota huomioon erityistarpeet, kuten jänniterajoitukset ja piirisuunnittelu.

- Arvioi valmistajan luotettavuus ja laatu.

- Kustannusten ja toimitusketjun vakauden tekijä.

 

MOSFETiä valittaessa on suositeltavaa tutustua laitteen tietolehteen ja suorittaa yksityiskohtaiset piirianalyysit ja laskelmat varmistaakseen, että se täyttää kaikki suunnitteluehdot. Simulaatioiden ja testien suorittaminen on myös kriittinen vaihe valintasi oikeellisuuden varmistamisessa.