Ero lähtötehon MOSFET ja bipolaarisen lähtötehon kristallitriodin välillä

Nykyään tieteen ja tekniikan nopean kehityksen myötä puolijohteita käytetään yhä useammilla teollisuudenaloilla, joillaMOSFET pidetään myös hyvin yleisenä puolijohdelaitteena, seuraava askel on ymmärtää, mikä ero on bipolaarisen tehokidetransistorin ja lähtötehon MOSFETin ominaisuuksien välillä.

1, tapa toimia

MOSFET on työ, jota tarvitaan edistämään käyttöjännite, piirikaaviot selittää suhteellisen yksinkertainen, edistää teho pieni; teho kristalli transistori on tehovirtaa edistää ohjelman suunnittelu on monimutkaisempi, edistää eritelmän valinta vaikea edistää eritelmä vaarantaa virtalähteen koko kytkentänopeus.

2, virtalähteen kokonaiskytkentänopeus

MOSFET vaikuttaa lämpötila on pieni, virtalähteen kytkentälähtöteho voi varmistaa, että yli 150KHz; tehokristallitransistorilla on hyvin vähän vapaan latauksen tallennusaikarajoitusta sen virtalähteen kytkentänopeus, mutta sen lähtöteho on yleensä enintään 50 kHz.

3、Turvallinen työskentelyalue

Virta MOSFET sillä ei ole toissijaista perustaa ja turvallinen työskentelyalue on laaja; tehokidetransistorilla on toissijainen perustilanne, joka rajoittaa turvallista työskentelyaluetta.

4 、 Sähköjohtimen työskentelyvaatimus työjännite

TehoaMOSFET kuuluu korkeajännitetyyppiin, johtavuustyövaatimus on korkeampi, lämpötilakerroin on positiivinen; tehokristallitransistori riippumatta siitä, kuinka paljon rahaa kestää työskentelyvaatimuksen käyttöjännitettä, sähköjohtimen toimintavaatimuksen käyttöjännite on pienempi ja sillä on negatiivinen lämpötilakerroin.

5, suurin tehovirtaus

Power MOSFET kytkentävirtalähteen piirissä virtalähdepiirin virtalähdepiiri virtalähdekytkimenä, toiminnassa ja vakaa työ keskellä, suurin tehovirtaus on pienempi; ja tehokristallitransistori toiminnassa ja vakaa työ keskellä, suurin tehovirtaus on suurempi.

6 、Tuotteen hinta

MOSFET-virran hinta on hieman korkeampi; tehokristallitriodin hinta on hieman alhaisempi.

7, tunkeutumisvaikutus

Power MOSFETillä ei ole tunkeutumisvaikutusta; tehokristallitransistorilla on tunkeutumisvaikutus.

8, kytkentähäviö

MOSFET-kytkentähäviö ei ole suuri; tehokristallitransistorin kytkentähäviö on suhteellisen suuri.

Lisäksi suurin osa tehosta MOSFET integroitu iskuja vaimentava diodi, kun taas bipolaarinen teho kristallitransistori lähes ole integroitu iskuja vaimentava diodi. MOSFET iskuja vaimentava diodi voi myös olla yleinen magneetti kytkeä virtalähdepiirit magneettikelat antaa tehokerroin kulma tehovirran turvakanavasta. Kenttävaikutteinen putki iskunvaimennusdiodissa koko prosessin sammuttamisessa yleisdiodin olemassaolosta käänteisen palautuksen virtavirran, tällä hetkellä diodi toisaalta ottaa viemäriin - lähde napa positiivinen keskellä merkittävää toisaalta käyttöjännitteen työvaatimusten nousu ja käänteinen palautusvirta.