MOSFET-virheen syyt ja ehkäisy

Kaksi tärkeintä syytäof MOSFET epäonnistuminen:

Jännitehäiriö: eli BVdss-jännite nielun ja lähteen välillä ylittää virtalähteen nimellisjännitteenMOSFET ja ulottuu tietyn kapasiteetin, mikä aiheuttaa MOSFETin epäonnistumisen.

Gate Voltage Failure: Portissa on epänormaali jännitepiikki, mikä johtaa portin happikerroksen vikaan.

romahdusvika (jännitekatkos)

Mitä lumivyöryvaurio tarkalleen ottaen tarkoittaa? Yksinkertaisesti sanottuna,MOSFET on vikatila, joka syntyy väyläjännitteiden, muuntajan heijastusjännitteiden, vuotopiikkijännitteiden jne. ja MOSFETin superpositiosta. Lyhyesti sanottuna se on yleinen vika, joka tapahtuu, kun jännite MOSFETin nielulähdenapassa ylittää määritellyn jännitearvon ja saavuttaa tietyn energiarajan.

Toimenpiteet lumivyöryvaurioiden estämiseksi:

- Pienennä annosta asianmukaisesti. Tällä alalla sitä yleensä vähennetään 80-95%. Valitse yrityksen takuuehtojen ja linjaprioriteettien perusteella.

- Heijastava jännite on kohtuullinen.

-RCD, TVS-absorptiopiirin suunnittelu on kohtuullinen.

-Suurvirtajohdotuksen tulee olla mahdollisimman suuri loisinduktanssin minimoimiseksi.

-Valitse sopiva hilavastus Rg.

- Lisää RC-vaimennusta tai Zener-diodiabsorptiota suuritehoisille virtalähteille tarpeen mukaan.

Gate Voltage Failure

Epänormaalin korkeille verkkojännitteille on kolme pääsyytä: staattinen sähkö tuotannon, kuljetuksen ja kokoonpanon aikana; laitteiden ja piirien loisparametrien synnyttämä korkeajänniteresonanssi sähköjärjestelmän toiminnan aikana; ja korkean jännitteen siirtäminen Ggd:n kautta verkkoon suurjänniteiskujen aikana (vika, joka on yleisempi salamaniskutestauksen aikana).

Toimenpiteet hilajännitevikojen estämiseksi:

Ylijännitesuoja hilan ja lähteen välillä: Kun hilan ja lähteen välinen impedanssi on liian korkea, äkillinen jännitteen muutos hilan ja lähteen välillä kytkeytyy hilaan elektrodien välisen kapasitanssin kautta, mikä johtaa erittäin korkeaan UGS-jännitteen ylisäätöön, mikä johtaa portin ylisääntelyyn. Pysyvä oksidatiivinen vaurio. Jos UGS on positiivisessa transienttijännitteessä, laite voi myös aiheuttaa virheitä. Tämän perusteella hilan ohjauspiirin impedanssia tulisi pienentää sopivasti ja kytkeä hilan ja lähteen väliin vaimennusvastus tai 20 V stabilointijännite. Erityistä varovaisuutta on noudatettava estämään oven avaaminen.

Purkausputkien välinen ylijännitesuoja: Jos piirissä on kela, äkilliset muutokset vuotovirrassa (di/dt), kun yksikkö sammutetaan, johtavat vuotojännitteen ylityksiin, jotka ylittävät selvästi syöttöjännitteen, aiheuttaen laitteen vaurioitumisen. Suojauksen tulee sisältää Zener-puristin, RC-puristin tai RC-suojapiiri.