Analysoidaan parannus- ja tyhjennys-MOSFETit

D-FET on 0 portin bias kun olemassa kanava, voi suorittaa FET; E-FET on 0 portin bias, kun ei ole kanavaa, ei voi suorittaa FET. Näillä kahdella FET-tyypillä on omat ominaisuutensa ja käyttötarkoituksensa. Yleensä parannettu FET nopeissa, pienitehoisissa piireissä on erittäin arvokasta; ja tämä laite toimii, se on portin bias napaisuus voltage ja viemäri jännite on sama, se on kätevämpi piirisuunnittelussa.

Niin sanottu tehostettu keino: kun VGS = 0 putki on katkaisutila, plus oikea VGS, suurin osa kantoaaloista vetäytyy porttiin, mikä "tehostaa" alueen kantoaaltoja muodostaen johtavan kanavan. n-kanavainen parannettu MOSFET on pohjimmiltaan vasen-oikea symmetrinen topologia, joka on P-tyyppinen puolijohde SiO2-kalvoeristekerroksen muodostamisessa. Se muodostaa eristävän kerroksen SiO2-kalvoa P-tyypin puolijohteen päälle ja diffundoi sitten kaksi voimakkaasti seostettua N-tyypin aluettafotolitografia, ja johtaa elektrodeja N-tyypin alueelta, yksi nielulle D ja toinen lähteelle S. Lähteen ja viemärin väliselle eristyskerrokselle on pinnoitettu metallikerros hilaksi G. Kun VGS = 0 V , nielun ja lähteen välillä on melko monta diodia, joissa on peräkkäiset diodit, eikä D:n ja S:n välinen jännite muodosta virtaa D:n ja S:n väliin. Virta D:n ja S:n välillä ei muodostu syötetystä jännitteestä .

Kun hilajännite lisätään, jos 0 < VGS < VGS(th), hilan ja substraatin väliin muodostuvan kapasitiivisen sähkökentän kautta, P-tyypin puolijohteen polyonireiät lähellä hilan pohjaa hylätään alaspäin, ja ilmestyy ohut negatiivisten ionien ehtymiskerros; samalla se houkuttelee siinä olevia oligoneja siirtymään pintakerrokseen, mutta määrä on rajallinen ja riittämätön muodostamaan johtavan kanavan, joka kommunikoi nielun ja lähteen välillä, joten se ei silti riitä nieluvirran ID muodostumiseen. lisääntyä edelleen VGS, kun VGS > VGS (th) (VGS (th) kutsutaan käynnistysjännitteeksi), koska tällä hetkellä hilajännite on ollut suhteellisen voimakas, P-tyyppisessä puolijohteen pintakerroksessa lähellä portin alaosaa kokoamalla enemmän elektroneja, voit muodostaa kaivan, viemärin ja viestintälähteen. Jos nielulähteen jännite lisätään tässä vaiheessa, nieluvirta voidaan muodostaa ID. elektroneja johtavassa kanavassa, joka muodostuu hilan alapuolelle, koska kantoaallon reiässä P-tyyppinen puolijohde on päinvastainen, joten sitä kutsutaan anti-tyyppiseksi kerrokseksi. Kun VGS jatkaa kasvuaan, ID kasvaa edelleen. ID = 0, kun VGS = 0V, ja nieluvirta esiintyy vasta, kun VGS > VGS(th), joten tämän tyyppistä MOSFET:iä kutsutaan tehostus-MOSFETiksi.

VGS:n ohjaussuhde nieluvirtaan voidaan kuvata käyrällä iD = f(VGS(th))|VDS=const, jota kutsutaan siirtokäyräksi, ja siirtokäyrän jyrkkyyden suuruudella gm, heijastaa nieluvirran ohjausta hilalähteen jännitteellä. gm:n suuruus on mA/V, joten gm:tä kutsutaan myös transkonduktanssiksi.