WSM340N10G N-kanava 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Tuotteet

WSM340N10G N-kanava 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Lyhyt kuvaus:


  • Mallinumero:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1,6 mΩ
  • ID:340A
  • Kanava:N-kanava
  • Paketti:TULL-8L
  • Tuote kesäinen:WSM340N10G MOSFETin jännite on 100V, virta 340A, vastus 1,6mΩ, kanava N-kanavainen ja paketti TOLL-8L.
  • Sovellukset:Lääketieteelliset laitteet, droonit, PD-virtalähteet, LED-virtalähteet, teollisuuslaitteet jne.
  • Tuotetiedot

    Sovellus

    Tuotetunnisteet

    Yleinen kuvaus

    WSM340N10G on suorituskykyisin kaivannon N-Ch MOSFET äärimmäisen korkealla solutiheydellä, joka tarjoaa erinomaisen RDSON- ja porttilatauksen useimpiin synkronisiin buck-muunninsovelluksiin.WSM340N10G täyttää RoHS- ja Green Product -vaatimukset, 100 % EAS-takuu ja täyden toiminnan luotettavuus hyväksytty.

    ominaisuudet

    Edistyksellinen korkean solutiheyden hautatekniikka, Super Low Gate Charge, Erinomainen CdV/dt-efektin lasku, 100 % EAS-takuu, Vihreä laite saatavana.

    Sovellukset

    Synkroninen tasasuuntaus, DC/DC-muunnin, latauskytkin, lääketieteelliset laitteet, droonit, PD-virtalähteet, LED-virtalähteet, teollisuuslaitteet jne.

    Tärkeät parametrit

    Absoluuttiset enimmäisarvosanat

    Symboli Parametri Luokitus Yksiköt
    VDS Viemärilähdejännite 100 V
    VGS Portin lähdejännite ±20 V
    ID@TC=25℃ Jatkuva tyhjennysvirta, VGS @ 10V 340 A
    ID@TC=100℃ Jatkuva tyhjennysvirta, VGS @ 10V 230 A
    IDM Pulssivirtaus..TC=25°C 1150 A
    EAS Avalanche Energy, yksi pulssi, L = 0,5 mH 1800 mJ
    IAS Lumivyöryvirta, yksi pulssi, L = 0,5 mH 120 A
    PD@TC=25℃ Täydellinen tehohäviö 375 W
    PD@TC=100℃ Täydellinen tehohäviö 187 W
    TSTG Varastointilämpötila-alue -55-175
    TJ Käyttöliittymän lämpötila-alue 175

    Sähköiset ominaisuudet (TJ = 25 ℃, ellei toisin mainita)

    Symboli Parametri ehdot Min. Typ. Max. Yksikkö
    BVDSS Viemärilähteen läpijakojännite VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS:n lämpötilakerroin Viite 25 ℃, ID=1mA --- 0,096 --- V/℃
    RDS (ON) Staattinen tyhjennyslähteen päällä oleva vastus VGS=10V,ID=50A --- 1.6 2.3
    VGS(th) Portin kynnysjännite VGS = VDS , ID = 250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) VGS(th) Lämpötilakerroin --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS Viemärilähteen vuotovirta VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Portin lähteen vuotovirta VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Portin vastus VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Portin kokonaislataus (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs Portin lähdemaksu --- 80 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 60 ---
    Td(päällä) Käynnistyksen viive VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr Nousuaika --- 50 ---
    Td (pois) Sammutusviiveaika --- 228 ---
    Tf Syksyn aika --- 322 ---
    Ciss Tulokapasitanssi VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz --- 13900 --- pF
    Coss Lähtökapasitanssi --- 6160 ---
    Crss Käänteinen siirtokapasitanssi --- 220 ---

  • Edellinen:
  • Seuraava:

  • Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille