WSM320N04G N-kanavainen 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

lyhyt kuvaus:

Mallinumero:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1,2 mΩ

ID:320A

Kanava:N-kanava

Paketti:TULL-8L

Tuote kesäinen:WSM320N04G MOSFET:n jännite on 40 V, virta 320 A, resistanssi 1,2 mΩ, N-kanava ja TOLL-8L-paketti.

Sovellukset:Sähkösavukkeet, langaton lataus, droonit, lääketiede, autojen lataus, ohjaimet, digitaaliset tuotteet, pienet kodinkoneet, kulutuselektroniikka.

Lähetä meille sähköpostia PDF

Tuotetiedot

Sovellus

Tuotetunnisteet

Yleinen kuvaus

WSM320N04G on korkean suorituskyvyn MOSFET, joka käyttää kaivantorakennetta ja jolla on erittäin korkea solutiheys. Siinä on erinomainen RDSON- ja gate-lataus ja se sopii useimpiin synkronisiin buck-muunninsovelluksiin. WSM320N04G täyttää RoHS- ja Green Product -vaatimukset, ja sillä on taatusti 100 % EAS ja täyden toiminnan luotettavuus.

Ominaisuudet

Edistyksellinen korkean solutiheyden Trench-tekniikka, ja siinä on myös alhainen porttilataus optimaalisen suorituskyvyn saavuttamiseksi. Lisäksi siinä on erinomainen CdV/dt-efektin lasku, 100 % EAS-takuu ja ympäristöystävällinen vaihtoehto.

Sovellukset

High Frequency Point-of-Load synkroninen Buck-muunnin, verkko-DC-DC-virtajärjestelmä, sähkötyökalusovellus, elektroniset savukkeet, langaton lataus, droonit, lääketiede, autojen lataus, ohjaimet, digitaaliset tuotteet, pienet kodinkoneet ja kulutuselektroniikka.

Tärkeät parametrit

Symboli	Parametri	Luokitus	Yksiköt
VDS	Viemärilähdejännite	40	V
VGS	Portin lähdejännite	±20	V
ID@TC=25℃	Jatkuva tyhjennysvirta, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Jatkuva tyhjennysvirta, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Pulssivirtausvirta 2	900	A
EAS	Yhden pulssin lumivyöryenergia3	980	mJ
IAS	Lumivyöryvirta	70	A
PD@TC=25℃	Kokonaistehohäviö4	250	W
TSTG	Varastointilämpötila-alue	-55-175	℃
TJ	Käyttöliittymän lämpötila-alue	-55-175	℃

Symboli	Parametri	ehdot	Min.	Typ.	Max.	Yksikkö
BVDSS	Viemärilähteen läpijakojännite	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS:n lämpötilakerroin	Viite 25 ℃, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS (ON)	Staattisen tyhjennyslähteen päällekytkentävastus2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS (ON)	Staattisen tyhjennyslähteen päällekytkentävastus2	VGS=4.5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Portin kynnysjännite	VGS = VDS , ID = 250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS(th) Lämpötilakerroin	VGS = VDS , ID = 250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	Viemärilähteen vuotovirta	VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Viemärilähteen vuotovirta	VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Portin lähteen vuotovirta	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Eteenpäin transkonduktanssi	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	Portin vastus	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Portin kokonaislataus (10V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Portin lähdemaksu		---	43	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	83	---
Td(päällä)	Käynnistyksen viive	VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A.	---	30	---	ns
Tr	Nousuaika		---	115	---
Td (pois)	Sammutusviiveaika		---	95	---
Tf	Syksyn aika		---	80	---
Ciss	Tulokapasitanssi	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Lähtökapasitanssi		---	1200	---
Crss	Käänteinen siirtokapasitanssi		---	800	---