WSD75N12GDN56 N-kanavainen 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Tuotteet

WSD75N12GDN56 N-kanavainen 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Lyhyt kuvaus:

Osa numero:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

ID:75A

RDSON:6mΩ

Kanava:N-kanava

Paketti:DFN5X6-8


Tuotetiedot

Sovellus

Tuotetunnisteet

WINSOK MOSFET tuotekatsaus

WSD75N12GDN56 MOSFETin jännite on 120V, virta 75A, vastus 6mΩ, kanava N-kanava ja paketti DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET sovellusalueet

Lääketieteelliset laitteet MOSFET, droonit MOSFET, PD-virtalähteet MOSFET, LED-virtalähteet MOSFET, teollisuuslaitteet MOSFET.

MOSFET-sovelluskentätWINSOK MOSFET vastaa muiden merkkien materiaalinumeroita

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

MOSFET-parametrit

Symboli

Parametri

Luokitus

Yksiköt

VDSS

Tyhjennys-lähdejännite

120

V

VGS

Hilasta lähteeseen -jännite

±20

V

ID

1

Jatkuva tyhjennysvirta (Tc=25℃)

75

A

ID

1

Jatkuva tyhjennysvirta (Tc=70℃)

70

A

IDM

Pulssivirtaus

320

A

IAR

Yksipulssinen lumivyöryvirta

40

A

EASa

Yhden pulssin lumivyöryenergia

240

mJ

PD

Tehon hajautus

125

W

TJ, Tstg

Käyttöliittymä ja säilytyslämpötila-alue

-55-150

TL

Maksimilämpötila juotoksissa

260

RθJC

Lämpövastus, liitos koteloon

1.0

℃/W

RθJA

Lämpövastus, liitos ympäristöön

50

℃/W

 

Symboli

Parametri

Koeolosuhteet

Min.

Typ.

Max.

Yksiköt

VDSS

Tyhjennä lähteen läpijakojännitteeseen VGS = 0 V, ID = 250 µA

120

--

--

V

IDSS

Tyhjennä lähdevuotovirtaan VDS = 120V, VGS = 0V

--

--

1

µA

IGSS(F)

Portti lähteeseen Eteenpäin vuoto VGS = +20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

Portilta lähteeseen Käänteinen vuoto VGS = -20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

Portin kynnysjännite VDS = VGS, ID = 250 µA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(ON)1

Tyhjennystä lähteeseen -vastus VGS=10V, ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

Eteenpäin transkonduktanssi VDS=5V, ID=50A  

130

--

S

Ciss

Tulokapasitanssi VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz

--

4282

--

pF

Coss

Lähtökapasitanssi

--

429

--

pF

Crss

Käänteinen siirtokapasitanssi

--

17

--

pF

Rg

Portin vastus

--

2.5

--

Ω

td(ON)

Käynnistyksen viive

ID = 20 A VDS = 50 V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

Nousuaika

--

11

--

ns

td(OFF)

Sammutusviiveaika

--

55

--

ns

tf

Syksyn aika

--

28

--

ns

Qg

Portin kokonaismaksu VGS = 0 ~ 10 V VDS = 50 VID = 20A

--

61.4

--

nC

Qgs

Portin lähdemaksu

--

17.4

--

nC

Qgd

Portin tyhjennyslataus

--

14.1

--

nC

IS

Diodi eteenpäinvirta TC = 25 °C

--

--

100

A

ISM

Diodi pulssivirta

--

--

320

A

VSD

Diodi eteenpäin jännite IS = 6,0 A, VGS = 0 V

--

--

1.2

V

trr

Käänteinen palautumisaika IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

QRr

Käänteinen palautusveloitus

--

250

--

nC


  • Edellinen:
  • Seuraava:

  • Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille