WSD60N12GDN56 N-kanavainen 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET tuotekatsaus
WSD60N12GDN56 MOSFETin jännite on 120V, virta 70A, vastus 10mΩ, kanava N-kanava ja paketti DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET sovellusalueet
Lääketieteelliset laitteet MOSFET, droonit MOSFET, PD-virtalähteet MOSFET, LED-virtalähteet MOSFET, teollisuuslaitteet MOSFET.
MOSFET-sovelluskentätWINSOK MOSFET vastaa muiden merkkien materiaalinumeroita
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS PuolijohdeMOSFET PDC974X.
MOSFET-parametrit
Symboli | Parametri | Luokitus | Yksiköt |
VDS | Viemärilähdejännite | 120 | V |
VGS | Portin lähdejännite | ±20 | V |
ID@TC= 25℃ | Jatkuva tyhjennysvirta | 70 | A |
IDP | Pulssivirtaus | 150 | A |
EAS | Avalanche Energy, Yksi pulssi | 53.8 | mJ |
PD@TC= 25℃ | Täydellinen tehohäviö | 140 | W |
TSTG | Varastointilämpötila-alue | -55-150 | ℃ |
TJ | Käyttöliittymän lämpötila-alue | -55-150 | ℃ |
Symboli | Parametri | ehdot | Min. | Typ. | Max. | Yksikkö |
BVDSS | Viemärilähteen läpijakojännite | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 120 | --- | --- | V |
Staattinen tyhjennyslähteen päällä oleva vastus | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
RDS (ON) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
VGS(th) | Portin kynnysjännite | VGS=VDS, minäD= 250 uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
IDSS | Viemärilähteen vuotovirta | VDS=80V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
IGSS | Portin lähteen vuotovirta | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | Portin kokonaislataus (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID= 25A | --- | 33 | --- | nC |
Qgs | Portin lähdemaksu | --- | 5.6 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 7.2 | --- | ||
Td(päällä) | Käynnistyksen viive | VDD=50V, VGS= 10V, RG=2Ω, ID= 25A | --- | 22 | --- | ns |
Tr | Nousuaika | --- | 10 | --- | ||
Td (pois) | Sammutusviiveaika | --- | 85 | --- | ||
Tf | Syksyn aika | --- | 112 | --- | ||
Ciss | Tulokapasitanssi | VDS=50V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 2640 | --- | pF |
Coss | Lähtökapasitanssi | --- | 330 | --- | ||
Crss | Käänteinen siirtokapasitanssi | --- | 11 | --- | ||
IS | Jatkuva lähdevirta | VG=VD=0V, voimavirta | --- | --- | 50 | A |
ISP | Pulssilähdevirta | --- | --- | 150 | A | |
VSD | Diodi eteenpäin jännite | VGS= 0 V, IS=12A, TJ= 25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
trr | Käänteinen palautumisaika | IF=25A,dl/dt=100A/µs,TJ= 25℃ | --- | 62 | --- | nS |
Qrr | Käänteinen palautusveloitus | --- | 135 | --- | nC |