WSD60N12GDN56 N-kanavainen 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

tuotteita

WSD60N12GDN56 N-kanavainen 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

lyhyt kuvaus:

Osanumero:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ID:70A

RDSON:10mΩ

Kanava:N-kanava

Paketti:DFN5X6-8


Tuotetiedot

Sovellus

Tuotetunnisteet

WINSOK MOSFET tuotekatsaus

WSD60N12GDN56 MOSFETin jännite on 120V, virta 70A, vastus 10mΩ, kanava N-kanava ja paketti DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET sovellusalueet

Lääketieteelliset laitteet MOSFET, droonit MOSFET, PD-virtalähteet MOSFET, LED-virtalähteet MOSFET, teollisuuslaitteet MOSFET.

MOSFET-sovelluskentätWINSOK MOSFET vastaa muiden merkkien materiaalinumeroita

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS PuolijohdeMOSFET PDC974X.

MOSFET-parametrit

Symboli

Parametri

Luokitus

Yksiköt

VDS

Viemärilähdejännite

120

V

VGS

Portin lähdejännite

±20

V

ID@TC= 25℃

Jatkuva tyhjennysvirta

70

A

IDP

Pulssivirtaus

150

A

EAS

Avalanche Energy, Yksi pulssi

53.8

mJ

PD@TC= 25℃

Täydellinen tehohäviö

140

W

TSTG

Varastointilämpötila-alue

-55-150

TJ 

Käyttöliittymän lämpötila-alue

-55-150

 

Symboli

Parametri

ehdot

Min.

Typ.

Max.

Yksikkö

BVDSS 

Viemärilähteen läpijakojännite VGS= 0 V, ID= 250 uA

120

---

---

V

  Staattinen tyhjennyslähteen päällä oleva vastus VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS (ON)

VGS = 4,5 V, ID = 10 A.

---

18

25

VGS(th)

Portin kynnysjännite VGS=VDS, minäD= 250 uA

1.2

---

2.5

V

IDSS

Viemärilähteen vuotovirta VDS=80V, VGS= 0 V, TJ= 25℃

---

---

1

uA

IGSS

Portin lähteen vuotovirta VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

Qg 

Portin kokonaislataus (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID= 25A

---

33

---

nC

Qgs 

Portin lähdemaksu

---

5.6

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

7.2

---

Td(päällä)

Käynnistyksen viive VDD=50V, VGS= 10V,

RG=2Ω, ID= 25A

---

22

---

ns

Tr 

Nousuaika

---

10

---

Td (pois)

Sammutusviiveaika

---

85

---

Tf 

Syksyn aika

---

112

---

Ciss 

Tulokapasitanssi VDS=50V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

2640

---

pF

Coss

Lähtökapasitanssi

---

330

---

Crss 

Käänteinen siirtokapasitanssi

---

11

---

IS 

Jatkuva lähdevirta VG=VD=0V, voimavirta

---

---

50

A

ISP

Pulssilähdevirta

---

---

150

A

VSD

Diodi eteenpäin jännite VGS= 0 V, IS=12A, TJ= 25℃

---

---

1.3

V

trr 

Käänteinen palautumisaika IF=25A,dl/dt=100A/µs,TJ= 25℃

---

62

---

nS

Qrr 

Käänteinen palautusveloitus

---

135

---

nC

 


  • Edellinen:
  • Seuraavaksi:

  • Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille