WSD40120DN56 N-kanavainen 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

tuotteita

WSD40120DN56 N-kanavainen 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

lyhyt kuvaus:

Osanumero:WSD40120DN56

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1,85 mΩ 

Kanava:N-kanava

Paketti:DFN5X6-8


Tuotetiedot

Sovellus

Tuotetunnisteet

WINSOK MOSFET tuotekatsaus

WSD40120DN56 MOSFETin jännite on 40V, virta 120A, vastus 1,85mΩ, kanava N-kanava ja paketti DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET sovellusalueet

Sähkösavukkeet MOSFET, langaton lataus MOSFET, droonit MOSFET, sairaanhoito MOSFET, autolaturit MOSFET, ohjaimet MOSFET, digitaaliset tuotteet MOSFET, pienet kodinkoneet MOSFET, kulutuselektroniikka MOSFET.

WINSOK MOSFET vastaa muiden merkkien materiaalinumeroita

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NPHHIBAJBMOSFPPET4 IT MOSFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Puolijohde MOSFET PDC496X.

MOSFET-parametrit

Symboli

Parametri

Luokitus

Yksiköt

VDS

Viemärilähdejännite

40

V

VGS

Gate-Source Jännite

±20

V

ID@TC=25

Jatkuva tyhjennysvirta, VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC= 100

Jatkuva tyhjennysvirta, VGS@ 10V1,7

100

A

IDM

Pulssivirtaus2

400

A

EAS

Yhden pulssin lumivyöryenergia3

240

mJ

IAS

Lumivyöryvirta

31

A

PD@TC=25

Täydellinen tehohäviö4

104

W

TSTG

Varastointilämpötila-alue

-55-150

TJ

Käyttöliittymän lämpötila-alue

-55-150

 

Symboli

Parametri

ehdot

Min.

Typ.

Max.

Yksikkö

BVDSS

Viemärilähteen läpijakojännite VGS= 0 V, ID= 250 uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSLämpötilakerroin Viite 25, minäD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ON)

Staattinen tyhjennyslähteen päällä oleva vastus2 VGS=10V, ID= 30A

---

1.85

2.4

mΩ

RDS (ON)

Staattinen tyhjennyslähteen päällä oleva vastus2 VGS = 4,5 V, ID= 20A

---

2.5

3.3

VGS(th)

Portin kynnysjännite VGS=VDS, minäD= 250 uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Lämpötilakerroin

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Viemärilähteen vuotovirta VDS=32V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS= 0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Portin lähteen vuotovirta VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Eteenpäin transkonduktanssi VDS= 5V, ID= 20A

---

55

---

S

Rg

Portin vastus VDS= 0 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

Portin kokonaislataus (10V) VDS=20V, VGS=10V, ID= 10A

---

76

91

nC

Qgs

Portin lähdemaksu

---

12

14.4

Qgd

Gate-Drain Charge

---

15.5

18.6

Td(päällä)

Käynnistyksen viive VDD= 30V, VGEN=10V, RG=1Ω, minäD=1A,RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

Nousuaika

---

10

12

Td (pois)

Sammutusviiveaika

---

58

69

Tf

Syksyn aika

---

34

40

Ciss

Tulokapasitanssi VDS=20V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

4350

---

pF

Coss

Lähtökapasitanssi

---

690

---

Crss

Käänteinen siirtokapasitanssi

---

370

---


  • Edellinen:
  • Seuraavaksi:

  • Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille