Nopea lataustekniikka, joka on keskeinen osa nykyaikaisia elektroniikkalaitteita, kehittyy ja kehittyy nopeasti.Pikalatausmarkkinoiden vetämänä alat, kuten älypuhelimet ja sähköajoneuvot, vaativat yhä enemmän nopeita ja tehokkaita latausratkaisuja.Pikalatausteknologian innovaatio ei keskity pelkästään latausnopeuden parantamiseen, vaan korostaa myös turvallisuutta.Tulevaisuutta ajatellen pikalataustekniikka yhdistetään langattomaan lataukseen ja tehokkaampaan akkuteknologiaan, jotta saavutetaan laadukas harppaus ja tarjotaan käyttäjille mukavampi ja ympäristöystävällisempi latauskokemus.Teknologian kehittymisen ja markkinoiden laajentumisen myötä pikalatausalan odotetaan jatkavan nopeaa kasvuaan.
Kun puhumme soveltamisestaMOSFETPikalataustekniikassa on itse asiassa useita päänsärkyä.
Ensinnäkin, koska nopea lataus vaatii suuren virran,MOSFETkuumenee erittäin paljon, ja kuinka käsitellä tätä lämpöä, tulee suuri ongelma.Sitten on myös tehokkuushaasteita.Nopeasti vaihdettaessa MOSFET menettää helposti osan energiastaan, mikä vaikuttaa lataustehokkuuteen.Lisäksi pikalatauslaitteet toivovat olevan mahdollisimman pieniä, mutta tämä edellyttää MOSFETin olevan pieni ja myös lämpöongelman käsittely.Koska MOSFET vaihtuu nopeasti, se voi häiritä muita elektronisia laitteita, mikä on myös ongelma.Lopuksi, nopealla latausympäristöllä on korkeat vaatimukset MOSFETien kestävyyden jännitteelle ja virralle, mikä on testi niiden suorituskyvylle.Pitkäaikainen työskentely tässä ympäristössä voi myös vaikuttaa niiden käyttöikään ja luotettavuuteen.Lyhyesti sanottuna, vaikka MOSFET on kriittinen nopealle lataukselle, se kohtaa monia haasteita.
WINSOKMOSFET voi auttaa sinua ratkaisemaan yllä olevat ongelmat.WINSOK MOSFETin tärkeimmät sovellusmallit pikalatauksessa ovat:
| Osa numero | Kokoonpano | Tyyppi | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Paketti | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Yksittäinen | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Yksittäinen | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Yksittäinen | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Yksittäinen | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Yksittäinen | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Yksittäinen | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Yksittäinen | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Muut tuotemerkin materiaalinumerot, jotka vastaavat yllä olevaa WINSOK MOSFETiä, ovat:
WINSOK MOSFET WSD3050DN:n vastaavat materiaalinumerot ovat:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,PTTFSNNSN8,FAIRCHILD NTTFSNT4934SHNC. N9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
WINSOK MOSFET WSD30L40DN:n vastaavat materiaalinumerot ovat:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P12503EEBAA, P12503EEBAA.
WINSOK MOSFET WSP6020:n vastaavat materiaalinumerot ovat:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor4-569.
WINSOK MOSFET WSP16N10:n vastaavat materiaalinumerot ovat:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
WINSOK MOSFET WSP4435:n vastaavat materiaalinumerot ovat:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,FAIRCHO4B807,AO4803A,3. Z,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Mikroelektroniikka STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM44435,DTM44435
WINSOK MOSFET WSP4407:n vastaavat materiaalinumerot ovat:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics, STS10HTS355LLPS3STS10HTSLLSP6 LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
WINSOK MOSFET WSP4606:n vastaavat materiaalinumerot ovat:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD PDANSLpower8661,FDS89958Si. 4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
WINSOK MOSFET WSR80N10:n vastaavat materiaalinumerot ovat: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10PN3N1R9N10PN386R, 0PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Postitusaika: 28.11.2023
